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电子元器件详细资料 » IC[26016] » IPD50N03S2L-06
型号:IPD50N03S2L-06类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C6.4 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 85µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs68nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1900pF @ 25V
功率_最大136W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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IPD50N03S2L-06相关型号

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